任天堂 Switch 2 可能会运用三星第五代 V-NAND，任天从最近的管星一些钻研服从来看，这将是第代比照其前代产物的一猛后退。据Doctre81在 YouTube 上分享的任天一段新视频中报道，一位在该公司任职至 2019 年的管星前三星电子配置装备部署处置妄想部份低级总监的 LinkedIn 页面上列出了他的主要资历以及职责，其中搜罗向导开拓了一款用于未指定任天堂游戏卡带的第代 NAND 闪存操作器配置装备部署。

在主要造诣中，任天这位前三星员工还列出了由三星存储器第五代 V-NAND 闪存驱动的管星清静增强型 eMMC 卡的开拓，这彷佛不光与用于未指定任天堂游戏卡带的第代 NAND 闪存操作器配置装备部署相宜合，而且还与其余一些信息适宜，任天如立异未指定专有硬件的管星清静性以及妄想新的 PUF IP（物理不可克隆功能）。

任天堂 Switch 2 需要比上一代产物更快的第代读取速率并不残缺使人惊惶，但运用三星第 5 代 V-NAND 依然是任天个好新闻，尽管以明天的管星尺度来看，这已经是第代有些过时的技术了，由于三星正在开拓第 9 代以及第 10 代 V-NAND，后者妄想于 2025 年宣告。不外，第 5 代产物高达 1.4 GB/s 的速率对于任天堂的游戏来说理当绰绰缺少，至少比前一代产物有了很大的提升。

对于 Nintendo Switch 2的细节人们所知甚少，只知道它将再次接管NVIDIA硬件。风闻，T239 芯片将反对于英伟达 DLSS 以及光线重构等功能。